平版印刷（即晶圆的图案形成）是半导体 制程中的一个关键步骤。虽然传统甚至浸润式平版印刷 一般不需要真空环境，但远紫外 (EUV) 平版印刷和电子束平版印刷却需要真空 泵。Edwards 可以让您有效应对这两种应用。

EUV 平版印刷泵送解决方案
多重图案形成技术有其存在的价值， 但以后可能需要使用 EUV 平版印刷，因为轻型 EUV 系统 提供极短的波长。要让您的系统具有 最佳性能，真空环境绝对是关键。真空系统的 清洁性尤其重要，它有助于延长维修间隔。我们 与 EUV 平版印刷 OEM 和光源 OEM 合作开发了 精密真空系统，可为您进行的大型投资提供最大 可靠性。

电子束平版印刷解决方案
电子束平版印刷在硅晶片的图案形成中 具有重要作用。低振动的清洁真空对于确保系统的精密性 和长正常运行时间至关重要。

我们的产品解决方案
您可能需要使用涡轮分子泵 (TMP) 以便 在您的制程工具上实现超高真空。我们的 STP 系列 TMP 采用 完全磁悬浮转子以降低舱室污染风险并延长 维修间隔。目前开发的产品通过将控制器集成到 泵本身中来降低总成本和占地面积，不再需要 外部控制器和控制器与泵之间的沉重控制 电缆。

化学气相沉淀 (CVD) 系统具有 多种配置用于沉积多种类型的薄膜。制程 还以不同的压力和流量状态运行，其中的许多状态 都使用含氟的干燥清洁制程。所有这些可变因素意味着您 需要咨询我们的应用工程师之一来选择适当的泵 和气体减排系统以便最大程度地延长我们产品的维修间隔并 延长您制程的正常运行时间。

干泵选择
CVD 制程通常需要通过选择适当的 干泵产品来克服四个特定挑战。这些挑战是：

粉末
许多制程会产生 大量粉末副产品。需要将真空泵设计成 能够处理这些粉末而不被卡住。在某些情况下，粉末实际上可能 很粘或需要高温运行才能确保粉末中夹带的其他 副产品不在泵内部冷凝并卡住泵机构。 对于几乎所有产生粉末的制程，您将不得不使用 采用高扭矩电机的泵，以确保泵在应力下保持 旋转。

冷凝
半导体 制程的某些副产品含有气体，当气体分压 增加或与冷表面接触时，这些气体会从气 相变为固相。在泵送这些副产品时， 您将需要非常热的泵，最好是从入口到出口 具有尽可能一致的温度分布的泵。

腐蚀
有些制程 需要泵送卤化物。尤其是需要含氟的清洁制程来 保持舱室的清洁性，但被激活的氟自由基 可能会侵蚀泵的内表面。如果制程主要使用 可能对泵造成腐蚀的化学品，您需要确保可以 将泵温度设置为一个较低值以降低腐蚀风险。我们的泵设计 具有可选的温度设定点和高旋转 速度以降低腐蚀风险并降低泵中不可避免 发生的总体材料损失速率。对于某些 CVD 制程，需要在温度设定点上 达到平衡，以确保避免任何冷凝问题， 同时不使腐蚀速度过高。

金属电镀
如今的某些 制程使用金属有机前体物，当这些金属有机前体物通过舱室时， 它们会产生一些副产品，极有可能将其金属物沉积 到泵表面上。对于这些应用，通常使用低温泵以便确保 长的维修间隔。 

气体减排选择
每个 CVD 制程都需要某种形式的气体减排 设备，以便可以将有毒和危险的制程副产品安全地 转换为可任意处理的元素。我们对我们的燃料燃烧 废气管理设备倍感骄傲，因为它们能够有效地 将副产品强制重组为安全的化合物。有了多入口 燃料燃烧能力，当您不需要对制程废气进行除害处理时， 您可以通过关闭主燃烧器来快速部署环保模式。 

集成式系统和生产层解决方案
仅仅有泵和气体减排设备，您 仍然不能随时运转您的制程。您将需要连接泵排气管道、 连接管道加热器（如果需要）、铺设供水管道、吹扫管道和 电气线路，然后让所有控制信号准备就绪。您还 必须考虑双壳体、气体泄漏检测以及在进行工具维护后 如何进行泄漏检查。所有这些事宜都将占用您的 设计时间和资金。我们了解问题所在，因此开发了集成的、 特定于制程的解决方案。 

我们的集成式系统已针对大多数半导体 CVD 制程进行预设计。排气加热器针对适当温度 进行设置以便最大程度地降低成本和延长正常运行时间。我们 在需要的位置安装泄漏检查端口和闸阀。我们可以 在装置内安装有毒气体传感器并密封整个系统，最 重要的是，您只需要提供每种所需的水电设施。我们 会根据需要分配吹扫、水、电和控制信号并打造随时可 投入使用的系统。 

我们的所有集成系统都基于全球性经验 而设计。我们是真空和减排领域内的领导者，因此知道哪些系统 起作用。我们在工作中不断创新和改进，因为您需要 Edwards 提供的是 卓越的产品和服务。 

快速管理

在您的工厂部署了我们的所有设备后，您将 需要知道这些设备的即时情况。您需要知道是否有 任何产品出现故障或需要维护。为了解决这个问题，我们提供了 FabWorks 计算机监控系统。 

FabWorks 系统可以通过以太网连接到我们的 所有产品以便持续不断地检索状态信号并将其存储在一个 自动化数据库中。除了跟踪输入功率、电流、温度或吹扫流量 这样的参数的趋势之外，您还可以看到警告或报警，所有 这些数据都能以图形方式显示并导出。使用 FabWorks，您不 需要在工厂中即可监控设备，一旦连接到内部网后，您 就可以确信准确无误地掌控生产层的情况。

对于 CVD 制程，总会有产品变得不堪 重负并需要进行维护，在最坏的情况下，产品 可能会突然发生故障。为了防止发生不需要的故障，我们可以与您合作 部署我们的自动化预测诊断模型。这些模型在与 您的制程匹配的情况下能够在您加工下一批晶圆之前提前 向您提供警告，以便您可以维护泵或减排设备并降低制程中 发生停机情况的风险。  

由于许多半导体的特征尺寸非常精细，刻蚀 制程变得越来越复杂。此外，MEMS 设备和 3D 结构的扩增对于具有高纵横比的结构越来越多地 使用硅刻蚀制程。传统上来说，可以将刻蚀制程 分组到硅、氧化物和金属类别。由于现今的设备中 使用更多硬遮罩和高 k 材料，这些类别之间的界限 已经变得非常模糊。现今的设备中使用的 某些材料能够在刻蚀过程中顽强地抵抗蒸发， 从而导致在真空组件内沉积。如今的制程确实变得 比数年前更具有挑战性。我们密切关注行业 和制程变化并通过产品创新与其保持同步，从而 实现一流的性能。

真空泵选择
几乎每种干式刻蚀制程都需要使用 涡轮分子泵 (TMP) 来实现反应离子刻蚀 (RIE) 系统所需的低压。Edwards 发明了第一款 TMP，并且继续使用新技术和性能 挑战该行业。我们提供一系列产品以符合 您的应用要求。例如，要想获得极低压力，您可以使用 我们的全叶片 TMP 之一，并会对所实现的压缩比和低基准压力 惊叹不已。您可以对高流量运转选择组合使用叶片 和 Holweck 式转子的混合产品。我们甚至提供 针对出色的氢气性能进行微调的产品，因为在分子速度下，并非 所有分子在通过 TMP 时都具有相同的行为。 

我们认识到空间非常珍贵，因此，对于我们的 许多 TMP，我们将控制器与泵集成到了一起。您不仅 不再需要担心笨重的控制电缆的铺设，而且还能节省 机架空间并进行备用泵管理。我们还开发了先进的 加热技术以降低顽固气体吸附到泵内表面 的风险。我们甚至为需要高运行温度的真正困难应用 开拓性地开发了新型高辐射率涂层。 

对于干泵，Edwards 将帮助您选择产品 以确保实现最长的正常运行时间。由于使用的 气体多种多样，刻蚀制程对于泵可能非常具有挑战性。例如， 您的制程是否对泵主要具有腐蚀性、可能会在泵内冷凝或者 两者都不是？需要仔细考虑使用的制程气体和 可能的副产品。 

气体减排选择
干式刻蚀制程需要使用某种形式的气体 减排系统以确保符合当地的排放要求。此外， 氧化物刻蚀会产生全氟化碳 (PFC) 排放，您 需要确保您的气体减排系统能够处理制程配方中 的 PFC 流速。PFC 是导致全球变暖的一个已知促进因素，因此， 您的减排政策对于我们所有人都非常重要。我们的内点火燃烧器 特别擅长制造热焰，可阻断传入气体并降低 有害化学品的排放。

物理气相沉淀 (PVD) 一直是 半导体制造中的一个重要制程。衬里和隔离层依然 利用这一完善的半导体制程。 

如果您使用一组工具，您将需要对 您的负载锁真空腔以及传输腔使用一台泵。如果您的 PVD 工具 使用的是低温泵，您还将需要准备好一台泵以便在低温泵 变满时使其再生。在许多情况下，用于传输腔的 泵也可用于再生低温泵。用于半导体加工的 许多 PVD 工具都部署低温泵。但现在越来越多地 使用涡轮分子泵 (TMP)，因为 TMP 不需要维护， 并且不需要再生。这两个因素可降低您的运行成本。

从传统上来说，PVD 制程不需要 气体减排系统。但如果您的 PVD 制程工具还包括 ALD 或 CVD 腔， 您将需要在制程中使用真空泵和气体减排系统。我们的应用工程师 和产品专家会为您提供有关这些制程类型的更多信息 并帮助您确定适合您系统的最佳泵规格。 我们还能够在管道尺寸方面提供建议，以帮助您优化 PVD 系统。

现今的计量工具代表了多年的高级 研发，仍然对高产量和制程偏差的早期检测发挥至关 重要的作用。清洁、安静的真空是高级计量工具的重要 推动因素。我们提供一系列干泵和涡轮分子泵 (TMP) 以便与您的真空环境条件相匹配。 

先进技术的一个应用示例是 我们的 EPX 系列干泵。这些单轴泵以高速旋转，提供的 最终真空压力低于传统干泵和增压泵组合所能 达到的真空压力三个数量级。在许多情况下，使用一台 EPX 泵 即不再需要使用 TMP。

清洁真空的另一个示例是我们的 nXDS 系列干式 涡旋泵。Edwards 的专利技术利用精密设计的 波纹管，可保证轴承中的润滑脂不会脱气到 真空空间。此外，顶封工程技术的进步无疑会显著 延长维修间隔。

离子注入工具在前段制程中仍然 具有重要的作用。与离子注入有关的真空挑战 并未随着时间的推移而变得更加容易，而且我们认识到了 在嘈杂的电子环境中操作真空泵时所面对的挑战。我们从未 满足于绝对最低性能测试符合既定的 电磁抗扰性测试标准。我们知道，注入工具上 使用的泵将需要更高的抗扰性和特别的设计特性， 以确保注入工具的高电压段不会干扰泵的 可靠性。

在涡轮分子泵 (TMP) 的设计过程中， 我们还格外小心，以确保能够提供整体加热 至高温，以便实现最大可靠性。 

我们的应用工程师将会帮助您选择 适合您的注入工具的产品，无论这些产品是安装在 您的工具上，还是安装在生产层中的工具下面。我们希望保证您 能体验到您想要从 Edwards 获得的质量和可靠性。

扩散、外延附生和 ALD 制程在高级半导体 设备的制造过程中至关重要。Edwards 非常了解 其中的每种应用，它们会带来与正常 CVD 制程略有 不同的挑战。仍然需要使用扩散炉，因为行业遵循 摩尔定律或转为超越摩尔技术。 总之，需要使用大容量泵来提供快速腔抽空、 腔环境交换和高吞吐容量。 

外延膜沉积设备一直具有 挑战性。在许多情况下，可能在低的腔压力下需要 非常高的氢气流量。您将需要具有高氢气吞吐容量的 可靠泵。除此之外，您还需要利用我们的 全球应用经验以确保针对安全运行来设计您的 整个真空系统。外延附生制程的副产品可能非常 有害，需要特别注意以确保安全运行。 

随着设备特征尺寸的减小，原子层沉积 (ALD) 制程变得越来越常用。无论您的系统在加工晶圆时 是一次加工一个，还是批量加工，您都需要使用我们的产品， 我们的产品经过专门设计，可以最大程度地缩短气体停留时间并 优化泵的热曲线和吹扫位置，以确保您能够实现尽可能长的维修 间隔。ALD 制程可能会相当具有挑战性。

对于所有的扩散、外延附生和 ALD 制程，我们 都能够为您提供事实数据以帮助您选择正确的气体减排设备。 在配置减排设备的过程中，需要考虑您在制程中使用 的材料和最大流速。

在适当情况下，融合了我们的全球性知识 和最佳操作实践的集成系统应是首选 解决方案。我们的集成系统物超所值，它可以连接到我们的工厂范围的 监控系统，因而制程工具的管理更加容易。